虽然QLC NAND在数据存储方面具有较大容量，但是在性能方面，它与其他NAND技术相比存在一定的差距。这是因为QLC NAND的数据密度更高（每个单元格储存四比特），与TLC NAND（每个单元格存储三比特）相比，它在速度和稳定性方面通常表现不佳。
为了提高其最新SN5000S QLC固态驱动器的性能和耐用性，西部数据采取了一种创新的策略。通过整合高速伪SLC缓存、对原始单元格进行过量配置，以及使用一款能够减少写入放大效应的控制器，新驱动器成功超越了它的TLC前辈SN740。
与采用了WD和Kioxia第五代BiCS 112层垂直堆叠3D NAND技术的SN740相比，新款SN5000S利用了第六代BiCS 162层NAND技术，从而获得了性能上的提升。
性能增强
由于SLC缓存技术，SN5000S在随机读取IOPS性能上实现了1.4%的增长，在随机写入IOPS上实现了12.5%的提升。报告还称，其顺序读写速度分别提高了16.5%和15.5%。SN5000S以M.2 2280“条形”和M.2 2230的形式因子推出，提供从512GB到2TB的不同容量选择。
尽管SN5000S取得了显著的性能提升，但也需要指出的是，相比于SN740，其在峰值功率消耗上有所增加。2TB型号的峰值功率消耗为6.9W，高于前一代的6.3W。
与SN740相比，SN5000S的512GB和1TB型号在耐久性上有所下降。然而，2TB型号的耐久性得到了明显的提升，SN5000S达到600 TBW，而SN740为500 TBW。