一则新的消息显示，三星下一代 Ultra 旗舰机型在性能和续航方面都可能迎来提升。
如果消息属实，Galaxy S26 Ultra 将搭载最前沿的 LPDDR5X 内存，这种内存不仅运行速度更快，还比前代机型的内存更省电。
新的消息来自 X 平台的知名爆料者 Ice Universe，他称 S26 Ultra 将采用速率为 10.7Gbps 的 LPDDR5X。这个数据与芯片制造商美光（Micron）在今年 6 月发布的 1γ（1-gamma）LPDDR5X 的最高速度一致，该芯片宣称相比上一代产品功耗可降低多达 20%。速度和发布时间都高度吻合，因此很可能这正是爆料中提到的芯片。
相比之下，Galaxy S25 Ultra 虽然官方从未公布过内存速度，但美光证实其使用的是 1β（1-beta）LPDDR5X，最高速率为 9.6Gbps。即便 S25 Ultra 达到了该最高速率，从 9.6Gbps 提升到 10.7Gbps，带宽也增加了约 11.5%，同时还能获得 1γ 架构带来的额外能效提升。
这对重度用户来说无疑是好消息。更高的带宽意味着处理器可以更快地在内存间传输数据，这有助于应对 8K 视频拍摄、高帧率游戏以及在设备上直接运行 AI 功能等高负载任务。而更高的能效也可能在执行这些任务时减少电池消耗，尤其是在本地 AI 功能日益成为 Galaxy 系列重要体验的背景下。
据传，这一内存升级还将与 S26 Ultra 其他传闻中的提升同步出现，包括采用台积电代工的骁龙 8 Elite 2 芯片、更纤薄的机身，以及更大且边框更窄的屏幕。虽然三星尚未确认这些信息，但多方爆料综合来看，这款新机有望在多个核心部件上实现有意义的代际升级。